Справочник MOSFET. WMQ140DNV6LG4

 

WMQ140DNV6LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ140DNV6LG4
   Маркировка: 140DNV6L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ140DNV6LG4

 

 

WMQ140DNV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1038K  way-on
 wmq140dnv6lg4.pdf

WMQ140DNV6LG4 WMQ140DNV6LG4

WMQ140DNV6LG4 65V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2D1D2WMQ140DNV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2G1 S2G2S1This device is well suited for high efficiency fast swi

 8.1. Size:982K  way-on
 wmq140nv6lg4.pdf

WMQ140DNV6LG4 WMQ140DNV6LG4

WMQ140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMQ140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench GMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the sssssGson-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top