WMQ140DNV6LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMQ140DNV6LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ140DNV6LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ140DNV6LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ140DNV6LG4 даташит

 ..1. Size:1038K  way-on
 wmq140dnv6lg4.pdf pdf_icon

WMQ140DNV6LG4

WMQ140DNV6LG4 65V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 D1 D2 WMQ140DNV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 G2 G1 S2 G1 S2 G2 S1 This device is well suited for high efficiency fast swi

 8.1. Size:982K  way-on
 wmq140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMQ140DNV6LG4

WMQ140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench G MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the ss s ss G s on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3

Другие MOSFET... WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , IRFB3607 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.