WMQ15DN04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ15DN04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

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WMQ15DN04TS Datasheet (PDF)

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wmq15dn04ts.pdf

WMQ15DN04TS 40V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2WMQ15DN04TS uses advanced power trench technology that D1D2has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2S2G1Features G2S1 V = 40V, I = 15A DS DPDFN3030-8LR

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Liste

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