WMQ15DN04TS Todos los transistores

 

WMQ15DN04TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ15DN04TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ15DN04TS datasheet

 ..1. Size:649K  way-on
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WMQ15DN04TS

WMQ15DN04TS 40V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 WMQ15DN04TS uses advanced power trench technology that D1 D2 has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 G2 G1 S2 S2 G1 Features G2 S1 V = 40V, I = 15A DS D PDFN3030-8L R

Otros transistores... WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , IRF530 , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS .

 

 

 

 

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