WMQ15DN04TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMQ15DN04TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ15DN04TS
WMQ15DN04TS Datasheet (PDF)
wmq15dn04ts.pdf

WMQ15DN04TS 40V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2WMQ15DN04TS uses advanced power trench technology that D1D2has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2S2G1Features G2S1 V = 40V, I = 15A DS DPDFN3030-8LR
Другие MOSFET... WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , AO4407 , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS .
History: BRCS050N085HRA | RU190N10Q | NVMFS5C468NL | WMQ140NV6LG4 | RU1H100R | AOW10T60P | SIHFP360
History: BRCS050N085HRA | RU190N10Q | NVMFS5C468NL | WMQ140NV6LG4 | RU1H100R | AOW10T60P | SIHFP360



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m