Справочник MOSFET. WMQ15DN04TS

 

WMQ15DN04TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ15DN04TS
   Маркировка: Q15DN04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ15DN04TS

 

 

WMQ15DN04TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:649K  way-on
 wmq15dn04ts.pdf

WMQ15DN04TS WMQ15DN04TS

WMQ15DN04TS 40V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2WMQ15DN04TS uses advanced power trench technology that D1D2has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2S2G1Features G2S1 V = 40V, I = 15A DS DPDFN3030-8LR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top