WMQ175N10HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ175N10HG4
   Código: 175N10H4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMQ175N10HG4

WMQ175N10HG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:622K way-on
wmq175n10hg4.pdf

WMQ175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

5.1. Size:600K way-on
wmq175n10lg4.pdf

WMQ175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

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