Справочник MOSFET. WMQ175N10HG4

 

WMQ175N10HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ175N10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ175N10HG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ175N10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  way-on
 wmq175n10hg4.pdf pdf_icon

WMQ175N10HG4

WMQ175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

 5.1. Size:600K  way-on
 wmq175n10lg4.pdf pdf_icon

WMQ175N10HG4

WMQ175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

Другие MOSFET... WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , IRLB4132 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS .

History: IRC830PBF | RU7N65L | 2SK971 | IPL65R420E6 | NCEP10N12AK | NCEP026N10D

 

 
Back to Top

 


 
.