WMQ175N10HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMQ175N10HG4
Маркировка: 175N10H4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ175N10HG4
WMQ175N10HG4 Datasheet (PDF)
wmq175n10hg4.pdf
WMQ175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching
wmq175n10lg4.pdf
WMQ175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100