WMQ175N10LG4 Todos los transistores

 

WMQ175N10LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ175N10LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de WMQ175N10LG4 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMQ175N10LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  way-on
 wmq175n10lg4.pdf pdf_icon

WMQ175N10LG4

WMQ175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

 5.1. Size:622K  way-on
 wmq175n10hg4.pdf pdf_icon

WMQ175N10LG4

WMQ175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

Otros transistores... WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , AON6380 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , WMQ28N03T1 .

History: BSC037N08NS5 | WMQ140NV6LG4 | AM110P06-06B | 2SK762 | PMV170UN | 2SK2049 | STB9NK50Z

 

 
Back to Top

 


 
.