Справочник MOSFET. WMQ175N10LG4

 

WMQ175N10LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ175N10LG4
   Маркировка: 175N1L4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ175N10LG4

 

 

WMQ175N10LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  way-on
 wmq175n10lg4.pdf

WMQ175N10LG4 WMQ175N10LG4

WMQ175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

 5.1. Size:622K  way-on
 wmq175n10hg4.pdf

WMQ175N10LG4 WMQ175N10LG4

WMQ175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top