WMQ175N10LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMQ175N10LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ175N10LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ175N10LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ175N10LG4 даташит

 ..1. Size:600K  way-on
 wmq175n10lg4.pdf pdf_icon

WMQ175N10LG4

WMQ175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D D D D D WMQ175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G S S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8L performance. This device is well suited for high efficiency fast switching

 5.1. Size:622K  way-on
 wmq175n10hg4.pdf pdf_icon

WMQ175N10LG4

WMQ175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D D D D D WMQ175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G S S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8L performance. This device is well suited for high efficiency fast switching

Другие MOSFET... WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , NCEP15T14 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , WMQ28N03T1 .

History: AOW14N50 | SW4N70K | HD1H15A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.