WMQ18P04TS Todos los transistores

 

WMQ18P04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ18P04TS
   Código: Q18P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ18P04TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  way-on
 wmq18p04ts.pdf pdf_icon

WMQ18P04TS

WMQ18P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ18P04TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SGmaintain superior switching performance. SSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -40V, I = -18A DS DR

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History: WMO50P04T1

 

 
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