WMQ18P04TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMQ18P04TS
Маркировка: Q18P04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ18P04TS
WMQ18P04TS Datasheet (PDF)
wmq18p04ts.pdf
WMQ18P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ18P04TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SGmaintain superior switching performance. SSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -40V, I = -18A DS DR
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100