WMQ18P04TS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMQ18P04TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ18P04TS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMQ18P04TS даташит
wmq18p04ts.pdf
WMQ18P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ18P04TS uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet S G maintain superior switching performance. S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -40V, I = -18A DS D R
Другие MOSFET... WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , AON7506 , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , WMQ28N03T1 , WMQ30DN04TS .
History: AOW25S65 | WMQ20DN06TS | SFG10R10BF
History: AOW25S65 | WMQ20DN06TS | SFG10R10BF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033

