WMQ18P04TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMQ18P04TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
WMQ18P04TS Datasheet (PDF)
wmq18p04ts.pdf

WMQ18P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ18P04TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SGmaintain superior switching performance. SSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -40V, I = -18A DS DR
Другие MOSFET... WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , IRFP250 , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , WMQ28N03T1 , WMQ30DN04TS .
History: IPW60R031CFD7
History: IPW60R031CFD7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0613APD | JMSL0612PU | JMSL0612PPD | JMSL0612PP | JMSL0612PK | JMSL0612PGQ | JMSL0612PG | JMSL0612AUQ | JMSL0612AU | JMSL0612AKQ | JMSL0612AK | JMSL0612AGQ | JMSL0612AG | JMSL06120UQ | JMSL0611PUD | JMSL0611PU
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033