WMQ20DN06TS Todos los transistores

 

WMQ20DN06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ20DN06TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

 Búsqueda de reemplazo de WMQ20DN06TS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMQ20DN06TS datasheet

 ..1. Size:610K  way-on
 wmq20dn06ts.pdf pdf_icon

WMQ20DN06TS

WMQ20DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2 D1 Description D2 D1 D1 D2 D1 D2 WMQ20DN06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance S1 G2 G1 S2 S2 G1 and yet maintain superior switching performance. G2 S1 Features PDFN3030-8L V = 60V, I = 20A DS D R

 9.1. Size:1003K  way-on
 wmq20n06ts.pdf pdf_icon

WMQ20DN06TS

WMQ20N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ20N06TS uses advanced power trench technology that D D D D D D has been especially tailored to minimize the on-state resistance D D and yet maintain superior switching performance. S G S S S Features S G S V = 60V, I = 20A DS D PDFN3030-8L R

Otros transistores... WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , STP80NF70 , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , WMQ28N03T1 , WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.