Справочник MOSFET. WMQ20DN06TS

 

WMQ20DN06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ20DN06TS
   Маркировка: Q20DN06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ20DN06TS

 

 

WMQ20DN06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  way-on
 wmq20dn06ts.pdf

WMQ20DN06TS WMQ20DN06TS

WMQ20DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2D1Description D2D1D1D2D1D2WMQ20DN06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance S1G2G1S2S2G1and yet maintain superior switching performance. G2S1Features PDFN3030-8L V = 60V, I = 20A DS DR

 9.1. Size:1003K  way-on
 wmq20n06ts.pdf

WMQ20DN06TS WMQ20DN06TS

WMQ20N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMQ20N06TS uses advanced power trench technology that DDDDDDhas been especially tailored to minimize the on-state resistance D Dand yet maintain superior switching performance. SGSSSFeatures SGS V = 60V, I = 20A DS DPDFN3030-8LR

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top