WMQ26P02TS Todos los transistores

 

WMQ26P02TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ26P02TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ26P02TS datasheet

 ..1. Size:623K  way-on
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WMQ26P02TS

WMQ26P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D D D D D WMQ26P02TS uses advanced power trench technology that has S G S S been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet S S G S maintain superior switching performance. PDFN3030-8L Features V = -20V, I = -26A DS D R

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History: SW4N60V | 2SK1297 | BM3416E | 2SK1202 | SWB065R68E7T | 4N60KL-TF3T-T | STW45NM60D

 

 

 

 

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