Справочник MOSFET. WMQ26P02TS

 

WMQ26P02TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ26P02TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ26P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  way-on
 wmq26p02ts.pdf pdf_icon

WMQ26P02TS

WMQ26P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ26P02TS uses advanced power trench technology that has SGSSbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SSGSmaintain superior switching performance.PDFN3030-8LFeatures V = -20V, I = -26A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFP240FI | HAT1038RJ | IAUC100N10S5N040 | STU601S | BF1210 | JCS4AN120SA | FDB44N25TM

 

 
Back to Top

 


 
.