WMQ26P02TS - описание и поиск аналогов

 

WMQ26P02TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ26P02TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ26P02TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ26P02TS даташит

 ..1. Size:623K  way-on
 wmq26p02ts.pdf pdf_icon

WMQ26P02TS

WMQ26P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D D D D D WMQ26P02TS uses advanced power trench technology that has S G S S been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet S S G S maintain superior switching performance. PDFN3030-8L Features V = -20V, I = -26A DS D R

Другие MOSFET... WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , 4N60 , WMQ28N03T1 , WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 .

History: STM8020 | FDMQ8203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.