Справочник MOSFET. WMQ26P02TS

 

WMQ26P02TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ26P02TS
   Маркировка: Q26P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ26P02TS

 

 

WMQ26P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  way-on
 wmq26p02ts.pdf

WMQ26P02TS WMQ26P02TS

WMQ26P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ26P02TS uses advanced power trench technology that has SGSSbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SSGSmaintain superior switching performance.PDFN3030-8LFeatures V = -20V, I = -26A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMQ80N03T1

 

 
Back to Top