Справочник MOSFET. WMQ26P02TS

 

WMQ26P02TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ26P02TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ26P02TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ26P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  way-on
 wmq26p02ts.pdf pdf_icon

WMQ26P02TS

WMQ26P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ26P02TS uses advanced power trench technology that has SGSSbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SSGSmaintain superior switching performance.PDFN3030-8LFeatures V = -20V, I = -26A DS DR

Другие MOSFET... WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , 10N65 , WMQ28N03T1 , WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 .

History: RTQ020N05HZG | IPB60R160P6

 

 
Back to Top

 


 
.