WMQ28N03T1 Todos los transistores

 

WMQ28N03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ28N03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ28N03T1 datasheet

 ..1. Size:521K  way-on
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WMQ28N03T1

WMQ28N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ28N03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 30V, I = 28A DS D R

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History: SWD085R68E7T | BS107ARL1G | SWD110R03VT | AP0103GP-HF | SPP80N06S2L-H5 | 4N65G-TA3-T | SML20B56

 

 

 

 

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