WMQ28N03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMQ28N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ28N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ28N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ28N03T1 даташит

 ..1. Size:521K  way-on
 wmq28n03t1.pdf pdf_icon

WMQ28N03T1

WMQ28N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ28N03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 30V, I = 28A DS D R

Другие MOSFET... WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , IRFP250 , WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 .

History: AP0904GMT | SWD085R68E7T | RUE002N02 | EMB17C03G | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.