Справочник MOSFET. WMQ28N03T1

 

WMQ28N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ28N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ28N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ28N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  way-on
 wmq28n03t1.pdf pdf_icon

WMQ28N03T1

WMQ28N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ28N03T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 28A DS DR

Другие MOSFET... WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , STF13NM60N , WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 .

History: NP180N04TUJ | NCEP040N10GU | SSF65R600S3 | SSF5NS65G | SWF13N65K2 | IRL5Y024CM | FQB27N25TMF085

 

 
Back to Top

 


 
.