WMQ35P02TS Todos los transistores

 

WMQ35P02TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ35P02TS
   Código: Q35P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ35P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  way-on
 wmq35p02ts.pdf pdf_icon

WMQ35P02TS

WMQ35P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMQ35P02TS uses advanced power trench technology that has DDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGFeatures S V = -20V, I = -35A DS DPDFN3030-8LR

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History: STB70NFS03LT4

 

 
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