Справочник MOSFET. WMQ35P02TS

 

WMQ35P02TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ35P02TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ35P02TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ35P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  way-on
 wmq35p02ts.pdf pdf_icon

WMQ35P02TS

WMQ35P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMQ35P02TS uses advanced power trench technology that has DDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGFeatures S V = -20V, I = -35A DS DPDFN3030-8LR

Другие MOSFET... WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , 2N60 , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 .

History: SFG60N12PF | IRFR3911PBF | IRF7379 | IRLU9343 | FDB86563F085

 

 
Back to Top

 


 
.