WMQ35P02TS - описание и поиск аналогов

 

WMQ35P02TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ35P02TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ35P02TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ35P02TS даташит

 ..1. Size:616K  way-on
 wmq35p02ts.pdf pdf_icon

WMQ35P02TS

WMQ35P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMQ35P02TS uses advanced power trench technology that has D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G Features S V = -20V, I = -35A DS D PDFN3030-8L R

Другие MOSFET... WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , 20N50 , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 .

History: RTR025N03 | 2SK2887 | SWD065R68E7T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.