WMQ37N03T1 Todos los transistores

 

WMQ37N03T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ37N03T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ37N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  way-on
 wmq37n03t1.pdf pdf_icon

WMQ37N03T1

WMQ37N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ37N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30 V, I = 37A DS DR

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History: NP30N04QUK | RF1S640

 

 
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