WMQ37N03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMQ37N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ37N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ37N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ37N03T1 даташит

 ..1. Size:542K  way-on
 wmq37n03t1.pdf pdf_icon

WMQ37N03T1

WMQ37N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ37N03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 30 V, I = 37A DS D R

Другие MOSFET... WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , IRF520 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.