Справочник MOSFET. WMQ37N03T1

 

WMQ37N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ37N03T1
   Маркировка: Q37N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ37N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  way-on
 wmq37n03t1.pdf pdf_icon

WMQ37N03T1

WMQ37N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ37N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30 V, I = 37A DS DR

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.