WMQ37N03T1 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMQ37N03T1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMQ37N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ37N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ37N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  way-on
 wmq37n03t1.pdf pdf_icon

WMQ37N03T1

WMQ37N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ37N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30 V, I = 37A DS DR

Другие MOSFET... WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , IRF520 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.