WMQ50P03T1 Todos los transistores

 

WMQ50P03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ50P03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

 Búsqueda de reemplazo de WMQ50P03T1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMQ50P03T1 datasheet

 ..1. Size:612K  way-on
 wmq50p03t1.pdf pdf_icon

WMQ50P03T1

WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -30V, I = -50A DS D R

 9.1. Size:599K  way-on
 wmq50n04t1.pdf pdf_icon

WMQ50P03T1

WMQ50N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ50N04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 40V, I = 50A DS D R

Otros transistores... WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , P60NF06 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 .

History: RF1S70N06 | SUD50N10-34P | XP162A12A6PR-G | HM4423 | 2SK2607 | OSG60R074HZF | SUP75N06-08

 

 

 

 

↑ Back to Top
.