Справочник MOSFET. WMQ50P03T1

 

WMQ50P03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ50P03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ50P03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ50P03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  way-on
 wmq50p03t1.pdf pdf_icon

WMQ50P03T1

WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -30V, I = -50A DS DR

 9.1. Size:599K  way-on
 wmq50n04t1.pdf pdf_icon

WMQ50P03T1

WMQ50N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ50N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 50A DS D R

Другие MOSFET... WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , AO3401 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 .

History: IRF721FI | JFPC13N50C

 

 
Back to Top

 


 
.