WMQ55P02T1 Todos los transistores

 

WMQ55P02T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ55P02T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ55P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  way-on
 wmq55p02t1.pdf pdf_icon

WMQ55P02T1

WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS DR

 9.1. Size:597K  way-on
 wmq55n04t1.pdf pdf_icon

WMQ55P02T1

WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS DR

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History: 1N60F | WPM3021 | AS2318 | BSN20 | RU6H7R | WMK110N20HG2 | HM120N04D

 

 
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