WMQ55P02T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ55P02T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
Encapsulados: PDFN3030-8L
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WMQ55P02T1 datasheet
wmq55p02t1.pdf
WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS D R
wmq55n04t1.pdf
WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS D R
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