WMQ55P02T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ55P02T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
Búsqueda de reemplazo de WMQ55P02T1 MOSFET
WMQ55P02T1 Datasheet (PDF)
wmq55p02t1.pdf
WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS DR
wmq55n04t1.pdf
WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS DR
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