WMQ55P02T1 - описание и поиск аналогов

 

WMQ55P02T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ55P02T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ55P02T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ55P02T1 даташит

 ..1. Size:624K  way-on
 wmq55p02t1.pdf pdf_icon

WMQ55P02T1

WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS D R

 9.1. Size:597K  way-on
 wmq55n04t1.pdf pdf_icon

WMQ55P02T1

WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS D R

Другие MOSFET... WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , AO3400A , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS .

History: WMQ50P03T1 | 2SK596S | AP3700MT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.