Справочник MOSFET. WMQ55P02T1

 

WMQ55P02T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ55P02T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ55P02T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ55P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  way-on
 wmq55p02t1.pdf pdf_icon

WMQ55P02T1

WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS DR

 9.1. Size:597K  way-on
 wmq55n04t1.pdf pdf_icon

WMQ55P02T1

WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS DR

Другие MOSFET... WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , RU6888R , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS .

History: JSM3401L | SJMN190R65B | SSF7NS60D | STI33N65M2 | IRFB3006GPBF | SWU7N80D | NP36P06KDG

 

 
Back to Top

 


 
.