Справочник MOSFET. WMQ55P02T1

 

WMQ55P02T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ55P02T1
   Маркировка: Q55P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ55P02T1

 

 

WMQ55P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  way-on
 wmq55p02t1.pdf

WMQ55P02T1 WMQ55P02T1

WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS DR

 9.1. Size:597K  way-on
 wmq55n04t1.pdf

WMQ55P02T1 WMQ55P02T1

WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top