WMQ60P02TS Todos los transistores

 

WMQ60P02TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ60P02TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de WMQ60P02TS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMQ60P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  way-on
 wmq60p02ts.pdf pdf_icon

WMQ60P02TS

WMQ60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ60P02TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -60A DS DR

Otros transistores... WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , IRF730 , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 .

History: AP2302N-HF | IRF8113PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.