WMQ60P02TS - описание и поиск аналогов

 

WMQ60P02TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ60P02TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ60P02TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ60P02TS даташит

 ..1. Size:603K  way-on
 wmq60p02ts.pdf pdf_icon

WMQ60P02TS

WMQ60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ60P02TS uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -20V, I = -60A DS D R

Другие MOSFET... WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , IRFB31N20D , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 .

History: IPP051N15N5 | MEE4294K-G | JMSL0315AP | IAUC120N04S6N013 | ME80N08A-G | IAUC60N04S6N044 | 2SK3078A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.