WMQ60P02TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: WMQ60P02TS
   Маркировка: Q60P02S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам