Справочник MOSFET. WMQ60P02TS

 

WMQ60P02TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ60P02TS
   Маркировка: Q60P02S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ60P02TS

 

 

WMQ60P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  way-on
 wmq60p02ts.pdf

WMQ60P02TS WMQ60P02TS

WMQ60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ60P02TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -60A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top