Справочник MOSFET. WMQ60P02TS

 

WMQ60P02TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ60P02TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ60P02TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ60P02TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  way-on
 wmq60p02ts.pdf pdf_icon

WMQ60P02TS

WMQ60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ60P02TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -60A DS DR

Другие MOSFET... WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , IRF730 , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 .

History: KO3414 | AP0403GM | HSL0107 | WMK80R350S | R6524ENZ1 | WMO80N03T1 | FDB9503L-F085

 

 
Back to Top

 


 
.