WMQ80N03T1 Todos los transistores

 

WMQ80N03T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ80N03T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ80N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  way-on
 wmq80n03t1.pdf pdf_icon

WMQ80N03T1

WMQ80N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ80N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 80A DS DR

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History: AP2302N-HF | IRF8113PBF-1

 

 
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