WMQ80N03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMQ80N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ80N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ80N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ80N03T1 даташит

 ..1. Size:597K  way-on
 wmq80n03t1.pdf pdf_icon

WMQ80N03T1

WMQ80N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ80N03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 30V, I = 80A DS D R

Другие MOSFET... WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , STP65NF06 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 .

History: 2SK1569

 

 

 

 

↑ Back to Top
.