Справочник MOSFET. WMQ80N03T1

 

WMQ80N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ80N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ80N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ80N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  way-on
 wmq80n03t1.pdf pdf_icon

WMQ80N03T1

WMQ80N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ80N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 80A DS DR

Другие MOSFET... WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , IRFZ48N , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 .

History: FQT1N80TF-WS | STH410N4F7-2AG | WPM3012 | SWD4N65DA | WML10N60C4 | SP8006 | WMM15N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.