WMR10N03T1 Todos los transistores

 

WMR10N03T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMR10N03T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de WMR10N03T1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMR10N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  way-on
 wmr10n03t1.pdf pdf_icon

WMR10N03T1

WMR10N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMR10N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V =30V, I = 10A DS D DFN2020-6LR

Otros transistores... WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , IRF520 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS .

History: RU70190R | STF11NM50N | TK75J04K3Z | WML080N10HG2 | SM6012NSUC | WSF3036 | SW4N70K

 

 
Back to Top

 


 
.