Справочник MOSFET. WMR10N03T1

 

WMR10N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR10N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для WMR10N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR10N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  way-on
 wmr10n03t1.pdf pdf_icon

WMR10N03T1

WMR10N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMR10N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V =30V, I = 10A DS D DFN2020-6LR

Другие MOSFET... WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , 8N60 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS .

History: IRFB4115GPBF | RU6050L | IRFP4905 | SWP630D | SIR871DP | SSP70R450S2

 

 
Back to Top

 


 
.