WMR12N03T1 Todos los transistores

 

WMR12N03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMR12N03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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WMR12N03T1 datasheet

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WMR12N03T1

WMR12N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D S Description D S D S D D WMR12N03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. D D Features DFN2020-6L V =30V, I = 12A DS D R

 9.1. Size:667K  way-on
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WMR12N03T1

WMR12P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WMR12P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -20V, I = -11.5A DS D R

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History: 2SJ540 | SCH2825 | TK50F15J1

 

 

 

 

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