WMR12N03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMR12N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMR12N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для WMR12N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR12N03T1 даташит

 ..1. Size:620K  way-on
 wmr12n03t1.pdf pdf_icon

WMR12N03T1

WMR12N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D S Description D S D S D D WMR12N03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. D D Features DFN2020-6L V =30V, I = 12A DS D R

 9.1. Size:667K  way-on
 wmr12p02t1.pdf pdf_icon

WMR12N03T1

WMR12P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WMR12P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -20V, I = -11.5A DS D R

Другие MOSFET... WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , AON7403 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 .

History: SE4953

 

 

 

 

↑ Back to Top
.