FDS2734 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDS2734
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDS2734

FDS2734 Datasheet (PDF)

..1. Size:390K fairchild semi
fds2734.pdf

August 2006FDS2734tmN-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mFeatures General DescriptionsThis single N-Channel MOSFET is produced using Max rDS(on) =117m at VGS =10V, ID = 3.0AFairchild Semiconductors advanced UItraFET Trenchprocess that has been especially tailored to minimize Max rDS(on) =126m at VGS = 6V, ID = 2.8Athe on-state resistance and y

..2. Size:480K onsemi
fds2734.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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Liste

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