FDS2734 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS2734
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 85 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.117 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS2734 Datasheet (PDF)
fds2734.pdf
August 2006FDS2734tmN-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mFeatures General DescriptionsThis single N-Channel MOSFET is produced using Max rDS(on) =117m at VGS =10V, ID = 3.0AFairchild Semiconductors advanced UItraFET Trenchprocess that has been especially tailored to minimize Max rDS(on) =126m at VGS = 6V, ID = 2.8Athe on-state resistance and y
fds2734.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
