WMR12P02T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMR12P02T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: DFN2020-6L
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WMR12P02T1 datasheet
wmr12p02t1.pdf
WMR12P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WMR12P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -20V, I = -11.5A DS D R
wmr12n03t1.pdf
WMR12N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D S Description D S D S D D WMR12N03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. D D Features DFN2020-6L V =30V, I = 12A DS D R
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