WMR12P02T1 Todos los transistores

 

WMR12P02T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMR12P02T1
   Código: R12P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMR12P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  way-on
 wmr12p02t1.pdf pdf_icon

WMR12P02T1

WMR12P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWMR12P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -11.5A DS DR

 9.1. Size:620K  way-on
 wmr12n03t1.pdf pdf_icon

WMR12P02T1

WMR12N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR12N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 12A DS DR

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History: AP9434GM-HF | FDMS7572S | VS3622AE | IPL65R420E6 | WMJ36N60C4 | BRCS200P02ZJ | IPA65R095C7

 

 
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