Справочник MOSFET. WMR12P02T1

 

WMR12P02T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR12P02T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для WMR12P02T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR12P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  way-on
 wmr12p02t1.pdf pdf_icon

WMR12P02T1

WMR12P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWMR12P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -11.5A DS DR

 9.1. Size:620K  way-on
 wmr12n03t1.pdf pdf_icon

WMR12P02T1

WMR12N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR12N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 12A DS DR

Другие MOSFET... WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , IRF9640 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 .

History: WMK26N60F2 | WMN10N60C4 | STB20N65M5 | WMO50P04T1 | 2SJ583LS | WMK18N70EM | NP55N055SUG

 

 
Back to Top

 


 
.