Справочник MOSFET. WMR12P02T1

 

WMR12P02T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR12P02T1
   Маркировка: R12P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR12P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  way-on
 wmr12p02t1.pdf pdf_icon

WMR12P02T1

WMR12P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWMR12P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -11.5A DS DR

 9.1. Size:620K  way-on
 wmr12n03t1.pdf pdf_icon

WMR12P02T1

WMR12N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR12N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 12A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.