WMR140NV6LG4 Todos los transistores

 

WMR140NV6LG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMR140NV6LG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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WMR140NV6LG4 datasheet

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WMR140NV6LG4

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D D WMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state G D resistance and yet maintain superior switching performance. This D DFN2020-6L device is well suited for high efficiency fast switching appl

 9.1. Size:622K  way-on
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WMR140NV6LG4

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G Description D D S D S D WMR14N03TB uses advanced power trench technology that has S D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS D R

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