WMR140NV6LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMR140NV6LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMR140NV6LG4

WMR140NV6LG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:992K way-on
wmr140nv6lg4.pdf

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescription SDSDSDDDWMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state GDresistance and yet maintain superior switching performance. This DDFN2020-6Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

9.1. Size:622K way-on
wmr14n03tb.pdf

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDescriptionDDSDSDWMR14N03TB uses advanced power trench technology that has SDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS DR

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: