WMR140NV6LG4 Todos los transistores

 

WMR140NV6LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMR140NV6LG4
   Código: 140NV6L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMR140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  way-on
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WMR140NV6LG4

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescription SDSDSDDDWMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state GDresistance and yet maintain superior switching performance. This DDFN2020-6Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

 9.1. Size:622K  way-on
 wmr14n03tb.pdf pdf_icon

WMR140NV6LG4

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDescriptionDDSDSDWMR14N03TB uses advanced power trench technology that has SDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS DR

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History: JNFH20N60E | 9435 | SPA20N60C3 | 2SK3636 | WMJ26N65C4 | LSG60R1K4HT

 

 
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