WMR140NV6LG4 Todos los transistores

 

WMR140NV6LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMR140NV6LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
 

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WMR140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  way-on
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WMR140NV6LG4

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 9.1. Size:622K  way-on
 wmr14n03tb.pdf pdf_icon

WMR140NV6LG4

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDescriptionDDSDSDWMR14N03TB uses advanced power trench technology that has SDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS DR

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