Справочник MOSFET. WMR140NV6LG4

 

WMR140NV6LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMR140NV6LG4
   Маркировка: 140NV6L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L

 Аналог (замена) для WMR140NV6LG4

 

 

WMR140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  way-on
 wmr140nv6lg4.pdf

WMR140NV6LG4 WMR140NV6LG4

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescription SDSDSDDDWMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state GDresistance and yet maintain superior switching performance. This DDFN2020-6Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

 9.1. Size:622K  way-on
 wmr14n03tb.pdf

WMR140NV6LG4 WMR140NV6LG4

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDescriptionDDSDSDWMR14N03TB uses advanced power trench technology that has SDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top