Справочник MOSFET. WMR140NV6LG4

 

WMR140NV6LG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR140NV6LG4
   Маркировка: 140NV6L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  way-on
 wmr140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMR140NV6LG4

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescription SDSDSDDDWMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state GDresistance and yet maintain superior switching performance. This DDFN2020-6Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

 9.1. Size:622K  way-on
 wmr14n03tb.pdf pdf_icon

WMR140NV6LG4

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDescriptionDDSDSDWMR14N03TB uses advanced power trench technology that has SDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WSD1216DN22 | WMS175N10HG4 | WMS09N06TS | WNM2020-3

 

 
Back to Top

 


 
.