WMR140NV6LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMR140NV6LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMR140NV6LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для WMR140NV6LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR140NV6LG4 даташит

 ..1. Size:992K  way-on
 wmr140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMR140NV6LG4

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D D WMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state G D resistance and yet maintain superior switching performance. This D DFN2020-6L device is well suited for high efficiency fast switching appl

 9.1. Size:622K  way-on
 wmr14n03tb.pdf pdf_icon

WMR140NV6LG4

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G Description D D S D S D WMR14N03TB uses advanced power trench technology that has S D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS D R

Другие MOSFET... WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , RU7088R , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 .

History: SUM110P04-04L | JMSL0303AK | SVF12N60K | ME6980ED-G | ME7839S-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.