WMR15N02T1 Todos los transistores

 

WMR15N02T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMR15N02T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMR15N02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  way-on
 wmr15n02t1.pdf pdf_icon

WMR15N02T1

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS DR

 7.1. Size:607K  way-on
 wmr15n03ts.pdf pdf_icon

WMR15N02T1

WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDDDescriptionSDD D SSDWMR15N03TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D GFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS DR

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History: AP40T03GS | SI4463BDY-T1 | AON6262E | BRCS4828SC | AON7426 | 2N6904 | 2SK2735S

 

 
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