Справочник MOSFET. WMR15N02T1

 

WMR15N02T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMR15N02T1
   Маркировка: R15N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L

 Аналог (замена) для WMR15N02T1

 

 

WMR15N02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  way-on
 wmr15n02t1.pdf

WMR15N02T1 WMR15N02T1

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS DR

 7.1. Size:607K  way-on
 wmr15n03ts.pdf

WMR15N02T1 WMR15N02T1

WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDDDescriptionSDD D SSDWMR15N03TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D GFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS DR

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top