Справочник MOSFET. WMR15N02T1

 

WMR15N02T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR15N02T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для WMR15N02T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR15N02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  way-on
 wmr15n02t1.pdf pdf_icon

WMR15N02T1

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS DR

 7.1. Size:607K  way-on
 wmr15n03ts.pdf pdf_icon

WMR15N02T1

WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDDDescriptionSDD D SSDWMR15N03TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D GFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS DR

Другие MOSFET... WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , HY1906P , WMR15N03TS , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS .

History: STP6621 | 2SK2022-01M

 

 
Back to Top

 


 
.