WMS02P15TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMS02P15TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8L
- Selección de transistores por parámetros
WMS02P15TS Datasheet (PDF)
wms02p15ts.pdf

WMS02P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS02P15TS uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Ssuperior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -150V, I = -1.5A DS DR
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: PHD97NQ03LT | SDF04N65 | IRFS645 | IXFX170N20T | AP6N3R5LIN | AP4506GEM | STT3P2UH7
History: PHD97NQ03LT | SDF04N65 | IRFS645 | IXFX170N20T | AP6N3R5LIN | AP4506GEM | STT3P2UH7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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