WMS02P15TS Todos los transistores

 

WMS02P15TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMS02P15TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L
 

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WMS02P15TS Datasheet (PDF)

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WMS02P15TS

WMS02P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS02P15TS uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Ssuperior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -150V, I = -1.5A DS DR

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History: SPB07N60C2 | HSBA8048 | KQB27P06 | WMK08N70C4 | SSM09N90CGW | HX4N60

 

 
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