WMS02P15TS - описание и поиск аналогов

 

WMS02P15TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMS02P15TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WMS02P15TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS02P15TS даташит

 ..1. Size:766K  way-on
 wms02p15ts.pdf pdf_icon

WMS02P15TS

WMS02P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS02P15TS uses advanced power trench technology that has been D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain S superior switching performance. S S G Features SOP-8L V = -150V, I = -1.5A DS D R

Другие MOSFET... WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , 60N06 , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS , WMS05P06T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.