Справочник MOSFET. WMS02P15TS

 

WMS02P15TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS02P15TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WMS02P15TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS02P15TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  way-on
 wms02p15ts.pdf pdf_icon

WMS02P15TS

WMS02P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS02P15TS uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Ssuperior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -150V, I = -1.5A DS DR

Другие MOSFET... WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , AO4468 , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS , WMS05P06T1 .

History: IRFR3411 | AMA420N | HY1808AP | RF1S70N06 | FDBL86363-F085 | BLV108 | STB200NF04

 

 
Back to Top

 


 
.