Справочник MOSFET. WMS02P15TS

 

WMS02P15TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS02P15TS
   Маркировка: S02P15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS02P15TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  way-on
 wms02p15ts.pdf pdf_icon

WMS02P15TS

WMS02P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS02P15TS uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Ssuperior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -150V, I = -1.5A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WPM2015

 

 
Back to Top

 


 
.