WMS032N04LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMS032N04LG2
   Código: S032N04L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L

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WMS032N04LG2 Datasheet (PDF)

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wms032n04lg2.pdf

WMS032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications.SOP-8LFeatures

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