WMS032N04LG2 Todos los transistores

 

WMS032N04LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMS032N04LG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMS032N04LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  way-on
 wms032n04lg2.pdf pdf_icon

WMS032N04LG2

WMS032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications.SOP-8LFeatures

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History: 2SK2802 | WFY3N02 | APT904R2AN | 8N80L-TF1-T | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | FQPF13N06L

 

 
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