WMS032N04LG2 Todos los transistores

 

WMS032N04LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMS032N04LG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: SOP8

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WMS032N04LG2 datasheet

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WMS032N04LG2

WMS032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D WMS032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S resistance and yet maintain superior switching performance. This S G device is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8L Features

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