Справочник MOSFET. WMS032N04LG2

 

WMS032N04LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS032N04LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WMS032N04LG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS032N04LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  way-on
 wms032n04lg2.pdf pdf_icon

WMS032N04LG2

WMS032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications.SOP-8LFeatures

Другие MOSFET... WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS , 5N50 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS , WMS05P06T1 , WMS05P10TS .

History: SFB037N85C2 | AP65SL600AI | CJAB40SN10 | STB36NF06LT4 | IRFI610B | TPCP8102 | SSM6N15FU

 

 
Back to Top

 


 
.