WMS15P02T1 Todos los transistores

 

WMS15P02T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMS15P02T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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WMS15P02T1 datasheet

 ..1. Size:769K  way-on
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WMS15P02T1

WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D yet maintain superior switching performance. S Features S S G V = -20V, I = -15A DS D SOP-8L R

 9.1. Size:766K  way-on
 wms15n03t1.pdf pdf_icon

WMS15P02T1

WMS15N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS15N03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S S G Features SOP-8L V = 30V, I = 15A DS D R

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