WMS15P02T1 Todos los transistores

 

WMS15P02T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMS15P02T1
   Código: S15P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 43 nC
   Tiempo de subida (tr): 20.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 520 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L

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WMS15P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  way-on
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WMS15P02T1
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WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Dyet maintain superior switching performance. SFeatures SSG V = -20V, I = -15A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:766K  way-on
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WMS15P02T1
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WMS15N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS15N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 15A DS DR

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