Справочник MOSFET. WMS15P02T1

 

WMS15P02T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMS15P02T1
   Маркировка: S15P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L

 Аналог (замена) для WMS15P02T1

 

 

WMS15P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  way-on
 wms15p02t1.pdf

WMS15P02T1 WMS15P02T1

WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Dyet maintain superior switching performance. SFeatures SSG V = -20V, I = -15A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:766K  way-on
 wms15n03t1.pdf

WMS15P02T1 WMS15P02T1

WMS15N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS15N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 15A DS DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top