Справочник MOSFET. WMS15P02T1

 

WMS15P02T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS15P02T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WMS15P02T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS15P02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  way-on
 wms15p02t1.pdf pdf_icon

WMS15P02T1

WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Dyet maintain superior switching performance. SFeatures SSG V = -20V, I = -15A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:766K  way-on
 wms15n03t1.pdf pdf_icon

WMS15P02T1

WMS15N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS15N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 15A DS DR

Другие MOSFET... WMS12P03T1 , WMS13N03T1 , WMS13P04T1 , WMS140DNV6LG4 , WMS140NV6LG4 , WMS14DN03T1 , WMS14P03T1 , WMS15N03T1 , SPP20N60C3 , WMS175DN10LG4 , WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , WMT04P06TS .

History: NCE40H25LL | IPF09N03LA | KCY3310A | 8205S | IRLU9343 | VN1206N2

 

 
Back to Top

 


 
.