WMS15P02T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMS15P02T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WMS15P02T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS15P02T1 даташит

 ..1. Size:769K  way-on
 wms15p02t1.pdf pdf_icon

WMS15P02T1

WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D yet maintain superior switching performance. S Features S S G V = -20V, I = -15A DS D SOP-8L R

 9.1. Size:766K  way-on
 wms15n03t1.pdf pdf_icon

WMS15P02T1

WMS15N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS15N03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S S G Features SOP-8L V = 30V, I = 15A DS D R

Другие IGBT... WMS12P03T1, WMS13N03T1, WMS13P04T1, WMS140DNV6LG4, WMS140NV6LG4, WMS14DN03T1, WMS14P03T1, WMS15N03T1, K3569, WMS175DN10LG4, WMS175N10HG4, WMS175N10LG4, WMS17P03TS, WMS240N10LG2, WMS690N15HG2, WMT04N10TS, WMT04P06TS