WMS240N10LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMS240N10LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de WMS240N10LG2 MOSFET
WMS240N10LG2 Datasheet (PDF)
wms240n10lg2.pdf

WMS240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8LFeatures
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History: DMP2100UCB9 | HSM0048 | IPP320N20N3 | PMDPB80XP | MTP5N06 | BLP08N10G-P | PD5B9BA
History: DMP2100UCB9 | HSM0048 | IPP320N20N3 | PMDPB80XP | MTP5N06 | BLP08N10G-P | PD5B9BA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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