WMS240N10LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMS240N10LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMS240N10LG2
WMS240N10LG2 Datasheet (PDF)
wms240n10lg2.pdf
WMS240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8LFeatures
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Liste
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