WMS240N10LG2 Todos los transistores

 

WMS240N10LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMS240N10LG2
   Código: S240N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 20 nC
   Tiempo de subida (tr): 31 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 146 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L

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WMS240N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  way-on
wms240n10lg2.pdf

WMS240N10LG2
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WMS240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8LFeatures

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