Справочник MOSFET. WMS240N10LG2

 

WMS240N10LG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMS240N10LG2
   Маркировка: S240N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 31 ns
   Выходная емкость (Cd): 146 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L

 Аналог (замена) для WMS240N10LG2

 

 

WMS240N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  way-on
 wms240n10lg2.pdf

WMS240N10LG2 WMS240N10LG2

WMS240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8LFeatures

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top