Справочник MOSFET. WMS240N10LG2

 

WMS240N10LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS240N10LG2
   Маркировка: S240N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS240N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  way-on
 wms240n10lg2.pdf pdf_icon

WMS240N10LG2

WMS240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDWMS240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S Sresistance and yet maintain superior switching performance. This SGdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8LFeatures

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NDB710AE

 

 
Back to Top

 


 
.