WMS240N10LG2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WMS240N10LG2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WMS240N10LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS240N10LG2 даташит

 ..1. Size:813K  way-on
 wms240n10lg2.pdf pdf_icon

WMS240N10LG2

Другие IGBT... WMS14DN03T1, WMS14P03T1, WMS15N03T1, WMS15P02T1, WMS175DN10LG4, WMS175N10HG4, WMS175N10LG4, WMS17P03TS, K4145, WMS690N15HG2, WMT04N10TS, WMT04P06TS, WMT04P10TS, WMT05N10T1, WMT05N12TS, WMT07N03T1, WMT07N06TS