WMS690N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMS690N15HG2
   Código: S690N15H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 4.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L

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WMS690N15HG2 Datasheet (PDF)

..1. Size:420K way-on
wms690n15hg2.pdf

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S Sperformance. This device is well suited for high efficiency fast SGswitching applications.SOP-8LFeatures

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