WMS690N15HG2 Todos los transistores

 

WMS690N15HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMS690N15HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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WMS690N15HG2 PDF Specs

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WMS690N15HG2

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S S performance. This device is well suited for high efficiency fast S G switching applications. SOP-8L Features ... See More ⇒

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