WMS690N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMS690N15HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8L
Búsqueda de reemplazo de WMS690N15HG2 MOSFET
WMS690N15HG2 Datasheet (PDF)
wms690n15hg2.pdf

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S Sperformance. This device is well suited for high efficiency fast SGswitching applications.SOP-8LFeatures
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History: FDPF33N25TRDTU | IPP120N08S4-04 | IRF6614PBF | KP777B | UPA2562T1H | FS30AS-2 | WMP80R720S
History: FDPF33N25TRDTU | IPP120N08S4-04 | IRF6614PBF | KP777B | UPA2562T1H | FS30AS-2 | WMP80R720S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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