WMS690N15HG2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMS690N15HG2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm

Encapsulados: SOP8

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WMS690N15HG2 datasheet

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WMS690N15HG2

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S S performance. This device is well suited for high efficiency fast S G switching applications. SOP-8L Features

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