WMS690N15HG2 - описание и поиск аналогов

 

WMS690N15HG2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMS690N15HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WMS690N15HG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS690N15HG2 технические параметры

 ..1. Size:420K  way-on
 wms690n15hg2.pdf pdf_icon

WMS690N15HG2

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S S performance. This device is well suited for high efficiency fast S G switching applications. SOP-8L Features

Другие MOSFET... WMS14P03T1 , WMS15N03T1 , WMS15P02T1 , WMS175DN10LG4 , WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , 13N50 , WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS .

 

 
Back to Top

 


 
.