WMS690N15HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMS690N15HG2
Маркировка: S690N15H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
Тип корпуса: SOP-8L
Аналог (замена) для WMS690N15HG2
WMS690N15HG2 Datasheet (PDF)
wms690n15hg2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S Sperformance. This device is well suited for high efficiency fast SGswitching applications.SOP-8LFeatures
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![WMS690N15HG2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WMS690N15HG2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WMS690N15HG2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100