Справочник MOSFET. WMS690N15HG2

 

WMS690N15HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS690N15HG2
   Маркировка: S690N15H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS690N15HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  way-on
wms690n15hg2.pdfpdf_icon

WMS690N15HG2

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S Sperformance. This device is well suited for high efficiency fast SGswitching applications.SOP-8LFeatures

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NDP606B | HSBA6040 | HSBA4094 | WMR05P04TS | WMS090DNV6LG4 | WMS119N10LG2

 

 
Back to Top

 


 
.