WMT04N10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMT04N10TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMT04N10TS

WMT04N10TS Datasheet (PDF)

..1. Size:981K way-on
wmt04n10ts.pdf

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS DR

9.1. Size:673K way-on
wmt04p06ts.pdf

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS DR

9.2. Size:1003K way-on
wmt04p10ts.pdf

WMT04P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -100V, I = -3.6A DS DR

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Liste

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